中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

【中国企业自主研发的内存芯片亮相美国】韩媒称,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片,将在美国硅谷首次公开。据韩国《朝鲜日报》报道,清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》,公开32层、64层3D NAND。报道称,YMTC此次公开的NAND当中,32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。

世界浙商网讯2018-08-09 11:24:00来源:参考消息作者:

韩媒称,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片,将在美国硅谷首次公开。据韩国《朝鲜日报》报道,清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》,公开32层、64层3D NAND。报道称,YMTC此次公开的NAND当中,32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。

浙商传媒运营   备案号:浙ICP备05021105号-2   客服热线:0571-85310626